1.本文涉及一（yī）種真空（kōng）釺焊材料及其使用的加熱器釺焊方法。例如陶瓷加熱器。
更具體地說，本發明應用不同的焊接材料、溫度、惰性氣體和真空度用於加熱器的釺焊。
2.相關（guān）技術說明 在半導體製造設備的製造工藝中（zhōng），用於加熱半導體晶片的加熱器用於（yú）半（bàn）導體薄膜的成膜工藝、蝕（shí）刻工藝、抗蝕劑膜的烘烤工藝等。
陶（táo）瓷加熱器因其優（yōu）異的溫度（dù）可控（kòng）性以及對半導體器件布線小型化和提（tí）高晶圓熱處理溫度精度的需求而（ér）得到廣泛應（yīng）用。
已經使用（yòng）了多種技術來改善執行（háng）這些功能的陶瓷（cí）加熱器的性能。
其中一種技術是釺焊，它是當（dāng）今快（kuài）速工業發展過程中（zhōng）應用最廣泛的連接技術之一，特別是在航（háng）空航天，汽車，製冷和空調（diào），家用電器中，在本發明的前（qián）半部分被廣（guǎng）泛使用並且被廣泛（fàn）使用，因為它們可（kě）以與不同的金屬零（líng）件焊（hàn）接，甚至可以與不同的（de）尺（chǐ）寸粘（zhān）接，並且比其他粘接方法具有相對強的焊接強度並可以獲得美觀精致的焊接（jiē）部（bù）件技術。
將詳細描述傳統陶瓷加熱器的釺焊技術。首先，將要釺焊（hàn）的產（chǎn）品放入（rù）腔（qiāng）室並關閉（bì）門。然後，在腔室中形成約760托或數十托至（zhì）幾百托的真（zhēn）空（kōng），用於在泵和工作腔之間形成真（zhēn）空的連接管用閥門關閉（bì），以便不再形成真空，然後使用加熱元件從腔室外部加熱到預定溫度（dù）， 使用將氫氣（H2）氣體注入腔室的方法以防止雜（zá）質進入（rù）腔室。
然而，釺焊到這種傳統（tǒng）的陶瓷加熱器上存（cún）在諸如由於外部空氣進入腔室和注入氫氣以防止雜（zá）質流入和施加到腔室的真空度而在陶瓷（cí）加熱器表麵（miàn）發生裂紋缺陷（白化現象）等問題。
這個問題是製（zhì）造半導體缺陷的嚴重原因，因此（cǐ）必須加以糾（jiū）正。
本文是為了解決如上所述的（de）常規陶瓷加熱器（qì）的釺焊相關問題而做出的，本文的（de）目的在於提供一種通過釺焊加熱器的組成部分來防止加熱器表麵開裂的方法，另（lìng）一個目的是提供一種能夠（gòu）防止加熱器表麵變白的（de）釺焊材料，以防止產生的裂紋缺陷。
為（wéi）了達到上述目的，本發明的釺（qiān）焊材料為Cr、B、Si、Fe、C和Ni混合得（dé）到的材料。釺（qiān）焊材料為Cr重量%的7.0%、B重（chóng）量的3.1%、Si的4.5重量%、Fe重量的3.0%、C重量的0.06%和Ni重量（liàng）的82.34%的混合物。和（hé）盤狀形（xíng）狀。為了達到上述目（mù）的，加熱器（qì）釺焊方法為加熱器釺焊方法。陶瓷加熱器包括用於加熱加（jiā）熱器的加熱（rè）板、連接到（dào）連接器以提供加熱器操作（zuò）電源的電源線棒、用於在加熱器中產生等離子體的射頻棒和射頻天線，天線和射頻棒（bàng）之間的粘合部分（fèn）是（shì）通（tōng）過注入預（yù）定的釺焊材料形成的，形成預定的（de）溫度和預定的真（zhēn）空度， 並注入惰性氣體。腔室的真（zhēn）空度為10-1托至10-9托本發明的腔室溫度設置為（wéi）500至2000°C。 將N2、Ar和He任一種的惰性氣體注入腔室 應用釺焊的加熱（rè）器由選自Al2O3組成的組的材料製成， AlN、Y2O3、SiC、BN、ZrO2、（RF）、不鏽鋼（STS）、鋁（Al）、鈦（Ti）等用於本發明（míng）的加熱板、電源棒、射頻天線和射頻（pín）棒的釺焊。、鎳 （Ni）、鉻（gè）鎳鐵合金、鉬 （Mo） 和（hé）鎢（wū） （W）。另一個實施方案，選（xuǎn）擇性地形成具（jù）有預定深度的加熱板（bǎn）和粘合到其上的（de）凹槽的部件部分，並將（jiāng）釺焊材料填充並粘結到該凹槽上。
根據本文的釺焊材料，可以通過防止加熱器表麵變白（bái）來防止開裂。根據本發明的加熱器釺焊方法，加熱（rè）器表（biǎo）麵的所有真空度、溫度、開裂缺陷都（dōu）可以通過釺焊來防止，從而均勻地加熱半導體晶片。根據真空釺（qiān）焊材料（liào）的加熱器釺焊方法，可（kě）以通過改善加熱器特性（xìng）來（lái）提高加熱器的壽命，從而可以（yǐ）連接經濟優勢。
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